高三2024年普通高校招生选考科目考试冲刺押题卷(三)3物理(HN)N试题，目前双语学习报答案网已经汇总了高三2024年普通高校招生选考科目考试冲刺押题卷(三)3物理(HN)N试题的各科答案和试卷，获取更多{{papers_name}}答案解析，请在关注本站。

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组题：陈娜审题：谭嘉健(2024.3.7)15.(16分)芯片制造过程有极其复杂的工艺，其中离子注入是一道重要的工序，该工作原理如下图所示。离子经加速后沿水平方向进入速度选择器，离子在速度选择器中做匀速直线运动，然后通过磁分析器选择出特定比荷的离子，经偏转系统后注入到水平面内的晶圆（硅片）处。速度选择器中匀强磁场的磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向外，匀强电场场强大小为E,方向竖直向上。磁分析器截面是内外半径分别为R1和R2的四分之一圆环，其两端中心位置M和N处各有一个小孔，磁分析器中匀强磁场的磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向外。偏转系统中电场和磁场分布在一个边长为L的正方体，底面与晶圆所在的水平面重合，已知偏转系统中匀强磁场的磁感应强度大小为B、匀强电场场强大小为E,两者方向均垂直纸面向外。且整个系统置于真空中，离子重力可忽略不计。己知从磁分析器M处入射的离子恰好从N处小孔射出，并能自偏转系统上表面的中心射入。当偏转系统不加电场及磁场时，离子恰好竖直注入到晶圆上的O点。以O点为坐标原点，偏转系统磁分析器中B的方向为x轴正方向，水平向左为y轴正方向，离子源、B建立如图所示平面直角坐标系。若打到晶圆上的离速度选择器子经过电场和磁场偏转的角度都很小，且α很小时-R有sina≈a,1-cosa≈2。求(1)离子的电性及通过速度选择器后的速度大小：偏转系统(2)从磁分析器出来的离子的比荷；(3)偏转系统同时加上电场和磁场时，离子注入晶圆晶圆的位置坐标。第6页共6页