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2气委你辛美娇20200693332佰款U-L>SnH电离能N0（填“>或“<”）：原因是MO一H键(4)NH,NO,晶体中存在的作用力有:NH,的空间构型为四到终三航维NH,v已知分子中的大n键可用符号表示，其中m代表参与形成大n键的原子数，n土报道代表参与形成大n键的电子数：则NO;中的大n键可表示为以长合国的B组以二024.(15分)位于元素周期表金属与非金属分界线附近元素多形成半亭体材料，并应用军在于航空航天测控光纤通信等领域，如单质傢(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)及某化合物砷化镓、磷化镓等。回答下列问题-P(1)丽常用作光敏材料，与硒园周期的？区元素中第一电离筻于硒的元紫有一、扇种：se0,的空间构型是手们(2)晶体用于太阳乖电池：28g硅清体中ss的数日是4:晶体中最小环是國元环Si-s(3)原子中运动电子有两种相反的自旋状态，若)种自遍状态用+)表示，与之相反B4中的用表示，称为电子的自旋是子数。对于VA族正泰原子其价电子自旋至h子数的代数和为二立：其化合物CaN GaP GaAsi都是共价晶体，熔点如下表所示，分析其熔点变化的原因2-CaNGaPGaAs熔点1700℃1480℃1238℃4)GaN晶胞结构如图甲所示。已知六棱柱底边边长为apm,阿伏加德罗常数的值4以4以行+为N。从GV晶体中分割出的行六面体如图乙所示，该行六面体的高为42v633upm,GaN晶体的密度为g/cm(用aN表示Ca1小688Baa24+23+4x2G。9高二化学（理科）试题第8贡（共8页